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非接觸雷射斷層掃描檢測技術極高速極精確
SSI雷射斷層掃描檢測技術是一種極為先進的非接觸式非破壞性的量測及檢驗技術,這種技術能偵測物體裏層的狀況、瑕疵或量測其各層的厚度分布,在半導體業,它可以用來即時偵測wafer薄化過程的厚度或wafer bonding時的龜裂、平整度、空隙、氣泡及貼合膠水的厚度,其他應用包括玻璃薄化過程的玻璃厚度即時檢測或觸控面板貼合膠水的厚度及分佈,對多層材料也能進行各層材料的厚度或對材料分佈均勻度及同質性進行分析。
異質鍵合結果及厚度
SSI 3D採層掃描測量儀器可做為評估晶片和載體或類似設計之間的粘合劑厚度,或計算整個晶圓圖的總厚度變化。
可計算關鍵組合的結果變化並生成完整的檢測3D圖像數據或檢測材料和載體或類似設計的總厚度。
鈍化或光刻膠層薄膜
該測量儀器可在產品晶圓的測試窗口或整個消隱晶圓上評估多達 4 個小至 5 nm 的薄層的厚度。在空白晶圓上,它生成完整的晶圓圖併計算薄層的總厚度變化。
並可在產品上的測試窗口或消隱動物上評估工具 4 小至 5 納米的薄層厚度。厚度變化。
剩餘矽厚度
測量儀器可線上Real Time監控 研磨後評估填充銅的 TSV 上的矽厚度,以在蝕刻或進一步研磨步驟之前驗證剩餘的矽厚度。
可生成完整的晶圓圖同時計算晶圓的剩餘矽厚度變化。SSI 斷層掃描測量儀器在研磨後填充填充金屬的矽厚度,確保激光或進一步步驟研磨之後的矽厚度。
TSV深度
SSI 3D斷層測量儀器評估開孔的深度以驗證晶片上的深度分佈。它生成完整的晶圓圖併計算晶圓的 TSV 深度變化。
實驗儀器連接開孔的深度以測量生成源上的深度釋放。
激光刻槽
SSI 3D斷層掃描測量儀器評估激光凹槽輪廓的關鍵尺寸,包括透過激光切割或刀輪切格,做到事前事後交錯分析工藝質量和參數互相交互結果。
關鍵特殊應用量測
SSI 3D可測量儀器根據球面上的切向梯度、曲率半徑、單元高度、單元高度間距、評估具有薄膜厚度的 3D 單元。可計算參考平面相關的3D殼單元的共面性,以評估製造過程。
測量儀器評估晶片(全部)的矽厚度(EX: 碳化矽、藍寶石、砷化鎵以及玻璃),生成完整的3D晶片圖併計算晶片的總厚度變化。
Wafer翹區及彎曲
可直接檢測Wafer((矽、碳化矽、藍寶石、砷化鎵、玻璃和高摻雜晶片)有無BG 膠帶的空白和產品晶片的彎曲和翹曲。
非接觸雷射斷層掃描偵測技術

非接觸雷射斷層掃描偵測技術
極高速極精確


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